一、高溫貯存試驗的定義與目的
1. 基本概念
高溫貯存試驗通過將樣品置于恒定高溫環(huán)境中,模擬產(chǎn)品在倉儲、運輸或使用過程中可能遭遇的高溫條件,檢測其材料性能、電氣特性及機械強度的變化。
2. 核心目標
驗證耐受性:確認產(chǎn)品在高溫下不發(fā)生不可逆損傷(如塑料變形、電子元件失效)。
預測壽命:通過加速老化模型推算產(chǎn)品在高溫環(huán)境下的使用壽命。
篩選缺陷:暴露制造工藝缺陷(如焊接不良、密封失效)。
3. 適用場景
行業(yè) | 典型應用 | 溫度范圍 |
---|---|---|
消費電子 | 手機電池、電路板存儲穩(wěn)定性 | 55℃~85℃ |
汽車電子 | ECU控制器、傳感器高溫耐久性 | 105℃~125℃ |
航空航天 | 機載設備在沙漠或高空環(huán)境下的可靠性 | 150℃~200℃ |
軍工設備 | 彈藥、通信設備長期戰(zhàn)備存儲 | 70℃~100℃ |
二、試驗標準與核心參數(shù)
1. 國際主流標準
標準編號 | 適用范圍 | 核心要求 |
---|---|---|
IEC 60068-2-2 | 電子產(chǎn)品通用測試 | 溫度范圍:-65℃~200℃,推薦存儲時間48~96小時,溫變率≤3℃/min。 |
GB/T 2423.2 | 中國電工電子產(chǎn)品 | 溫度容差±2℃,樣品通電狀態(tài)下測試需注明。 |
MIL-STD-810H | 軍用設備 | 高溫存儲(Method 501.7)分恒定高溫與循環(huán)高溫,測試時長≥240小時。 |
JEDEC JESD22-A103 | 半導體器件 | 分級測試(Level A~E),最高溫度150℃,存儲時間1000小時。 |
2. 關鍵參數(shù)設置
溫度選擇:基于產(chǎn)品使用環(huán)境(如汽車引擎艙常用125℃)。
持續(xù)時間:常規(guī)測試48~168小時,加速老化可達1000小時。
溫變速率:非溫度循環(huán)試驗通常無需控制升降溫速率。
樣品狀態(tài):
靜態(tài)存儲:樣品不通電、不工作;
動態(tài)運行:高溫下持續(xù)通電測試(如服務器電源)。
三、試驗設備與操作流程
1. 設備要求
參數(shù) | 技術要求 | 示例設備型號 |
---|---|---|
溫度范圍 | -70℃~200℃ | 德國Binder TD115 |
均勻性 | ≤±1.5℃(空載) | 美國Thermotron PH系列 |
波動度 | ≤±0.5℃ | 日本ESPEC PSL系列 |
內(nèi)腔材質(zhì) | 不銹鋼(耐腐蝕) | 中國廣五所GDJS-500B |
2. 操作流程
預處理:
清潔樣品表面,移除包裝,記錄初始性能(如電阻值、外觀)。
樣品裝載:
均勻擺放,避免遮擋風道(間距≥10cm),敏感元件加裝隔熱罩。
參數(shù)設定:
輸入目標溫度(如85℃)、時間(72小時),關閉溫變速率控制。
試驗監(jiān)控:
每2小時記錄溫度數(shù)據(jù),檢查設備運行狀態(tài)。
恢復與檢測:
試驗后靜置24小時(標準大氣條件),進行功能測試與拆解分析。
四、常見問題與優(yōu)化策略
1. 典型失效模式
失效現(xiàn)象 | 根本原因 | 改進方案 |
---|---|---|
塑料殼體變形 | 材料玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)低 | 改用耐高溫材料(如LCP替代ABS,Tg從110℃提升至280℃)。 |
焊點開裂 | 熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配 | 使用低應力焊錫(如Sn-Ag-Cu)或底部填充膠(Underfill)。 |
電解電容容量衰減 | 電解質(zhì)高溫蒸發(fā) | 選擇固態(tài)電容或耐125℃的液態(tài)電容(如紅寶石RX系列)。 |
密封圈老化泄漏 | 橡膠耐熱性不足 | 替換為氟橡膠(FKM)或硅膠(VMQ),耐溫從120℃提升至250℃。 |
2. 成本控制建議
分級測試:研發(fā)階段使用低一檔溫度(如85℃)快速篩選,量產(chǎn)前進行全條件驗證。
設備共享:多項目共用高低溫箱,按時間區(qū)塊預約使用。
仿真替代:通過ANSYS或Flotherm模擬高溫應力,減少實物測試次數(shù)。